本发明提供了一种氧掺杂单层过渡金属硫族化合物的制备方法,包括以下步骤:A)将铁氧化物、金属前驱体钨氧化物和氯化钠混合均匀,得到反应前驱体;B)将步骤A)得到的反应前驱体在高温下与硫粉进行反应,得到氧掺杂单层过渡金属硫族化合物。本发明利用铁氧化物辅助化学气相沉积法,获得了高质量单层的氧掺杂二硫化钨单晶,在光电探测器、光电传感器等方面有着巨大的应用前景。相对于现有的过渡金属硫族化合物掺杂方法而言,此方法实现了原位掺杂氧元素,且工艺简单,易于规模化生产。
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