本发明属于光电探测领域,涉及基于压电光电子学效应增强Au/4H‑SiC肖特基结输出的方法。将预处理后的4H‑SiC单晶片通过
电化学腐蚀方法垂直腐蚀得到4H‑SiC纳米线阵列,洗涤烘干后通过旋涂PMMA溶液将纳米线阵列包裹,通过氧等离子体清洗技术露出纳米线顶端,将Au电极沉积在纳米线阵列顶端,形成Au/4H‑SiC肖特基结,最终通过压电马达在纳米线顶端施加压缩应变实现对Au/4H‑SiC肖特基结光电响应的增强。本发明中的Au/4H‑SiC肖特基结通过应变的施加,能够对不同机械力产生不同响应,可以明显的改变器件的输出性能。能够优化器件的输出性能,进一步用于外界机械刺激与SiC基电子器件的直接交互。
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