本发明提供一种功率器件的制造方法,提供一形成有IGBT元胞结构的晶圆,IGBT元胞结构包括在形成ILD层之前在晶圆表面形成的氮化硅层;在晶圆的正面形成金属电极;对晶圆的背面进行Taiko减薄;在晶圆的背面进行离子注入并退火形成集电区;利用化学镀工艺在金属电极上镀上目标金属;在晶圆背面形成背面金属层;进行
芯片测试;去除晶圆背面的Taiko环。本发明通过在形成ILD层之前在晶圆表面形成氮化硅层,使得晶圆背面形成的Taiko环有氮化硅层保护,解决了IGBT化镀工艺导致背面金属脱落的问题,避免了造成晶圆碎片或机台沾污。
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