本发明涉及一种非线性光学晶体材料及其制备方法与应用,该类晶体材料的化学式为NaM(SO4)2(H2O)(M=Ce3+,Bi3+),属于三方晶系,其空间群分别为P3121和P3221。在1064nm激光照射下,粉末倍频强度分别为KH2PO4(KDP)晶体的0.2倍和0.38倍,且在该波长激光照射下都能实现相位匹配。与现有技术相比,本发明涉及的晶体材料NaBi(SO4)2(H2O)具有较大的带隙,测得的激光损伤阈值为已商业化的红外二阶非线性材料AgGaS2(AGS)的83倍,表明该材料在紫外非线性光学、电光调制、光折变信息处理等领域具有较大的应用潜力。
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