本发明涉及一种钕掺杂二维层状二硒化钼薄膜材料的制备方法,包括以下步骤:首先通过高纯原料钼、硒、钕的化学气相输运反应,制得钕掺杂二硒化钼的多晶体;接着通过压制及烧结,制得钕掺杂二硒化钼的陶瓷靶;将陶瓷靶和清洗过的衬底置入真空腔,通过脉冲激光轰击所制备的陶瓷靶,控制频率、时间、功率等因素,获得不同层数、形貌均匀、面积连续的超薄钕掺杂二硒化钼薄膜光电材料。所制备的材料在近红外区域具有发射光谱,可被用于构筑原子级超薄的光电子器件,如电致发光器件、平板波导、探测器等。
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