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具有高迁移率的非金属共掺杂ZnO透明导电薄膜及其制备方法

1124   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:51
本发明公开了一种具有高迁移率的非金属共掺杂ZnO透明导电薄膜，该薄膜为生长于柔性衬底上的ZnO基薄膜，其化学组成为Zn1-x-yAxByO，其中0< x≦0.50，0< y≦0.40, ?A为氟、氯、硫、硒中的一种，B为硼、氢中的一种，且A和B的原子比例满足1< x : y≦10。制备该薄膜采用射频磁控溅射法，通过结合氢等离子处理和真空热退火的手段，从而制得导电性能良好的透明导电薄膜。本发明制备的薄膜结晶性能好，薄膜生长平整，光透过率在80%以上，电阻率可降至10-3数量级，方阻可达到81.9。可应用在太阳能电池前电极、薄膜晶体管、紫外探测器、透明显示屏等领域。
声明：
“具有高迁移率的非金属共掺杂ZnO透明导电薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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