本发明公开了一种具有高迁移率的非金属共掺杂ZnO透明导电薄膜,该薄膜为生长于柔性衬底上的ZnO基薄膜,其化学组成为Zn1-x-yAxByO,其中0< x≦0.50,0< y≦0.40, ?A为氟、氯、硫、硒中的一种,B为硼、氢中的一种,且A和B的原子比例满足1< x : y≦10。制备该薄膜采用射频磁控溅射法,通过结合氢等离子处理和真空热退火的手段,从而制得导电性能良好的透明导电薄膜。本发明制备的薄膜结晶性能好,薄膜生长平整,光透过率在80%以上,电阻率可降至10-3数量级,方阻可达到81.9。可应用在
太阳能电池前电极、薄膜晶体管、紫外探测器、透明显示屏等领域。
声明:
“具有高迁移率的非金属共掺杂ZnO透明导电薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)