本发明公开了一种厚绝缘膜的工艺实现方法,包括步骤:(1)在需要长绝缘介质膜的地方,先刻蚀槽;(2)在槽内,根据不同的槽宽,进行炉管氧化;(3)氧化后,成长填孔性较好的绝缘膜;(4)化学机械研磨,把表面的凸起磨平;(5)再把有源区的绝缘膜刻蚀掉,只留下厚的场氧绝缘膜。本发明通过改变刻蚀槽的形貌后,元包之间的二氧化硅绝缘膜在炉管里成长后,改变了应力的方向,测量后曲率半径和进炉管长膜前的曲率半径基本一致,解决了元包之间厚度大于2微米绝缘层的可行办法。
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