本发明公开了多
芯片组件同质键合系统质量一致性改进方法,该方法在原有工艺的厚膜电阻修调并测试完毕后,增加金厚膜键合区表面局部化学机械抛光工艺,具体是:选择贵金属抛光液,通过局部抛光机对每个键合区进行抛光,使其表面平整度≤0.1μm;然后用机械掩模方法,在高真空溅射台或蒸发台中,在键合区表面形成一层铝薄膜、或镍-铬-铝或铬-铜-铝复合薄膜;最后,按常规混合集成电路集成工艺,将半导体芯片和片式元器件集成在成膜基片上,半导体芯片的键合采用硅-铝丝键合,管脚与基片之间采用金丝键合,实现质量一致性好、可靠性高的金-金、铝-铝同质键合。此类器件应用领域广泛,特别适用于大功率、高可靠、宇航级等领域。
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