一种扩散后不良片的单独返工方法,步骤包括:将返工片经纯水清洗、碱槽清洗、纯水清洗、混酸槽清洗、纯水清洗、硅片表面的水烘干,流入扩散工序重新扩散,然后清洗去PSGPECVD镀膜,丝网印刷及高温炉烧结,最后分选测试即可。本发明不需要重新制绒,能保证小绒面,有效解决亮花纹片的出现,确保成品
电池片的外观及效率;此专利本质上是对不良片的一个分类处理,之前所有的返工片都会制绒,为保证硅片上的脏污清洗掉,高方阻不良片不存在外观污染的问题,所以不需要制绒,且有效降低化学品用量。
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“扩散后不良片的单独返工方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)