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集成电路结构及其形成方法

943   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:51
本发明提供了一种集成电路结构及其形成方法，集成电路结构包括衬底；层间介质层，形成于所述衬底上，所述层间介质层中形成有开口；扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖所述开口的侧壁和底壁；导电结构，填充于所述开口中，且所述导电结构的顶面高度低于所述扩散阻挡层的侧壁的顶面高度；刻蚀停止层，覆盖所述层间介质层的顶面、所述导电结构的顶面、所述扩散阻挡层的顶面和所述扩散阻挡层的部分侧壁。通过利用化学机械研磨的工艺在研磨到扩散阻挡层时，增加过研磨工艺中研磨导电材料层的时间，去除所述开口内预定高度的导电材料层，增加后续的蚀刻停止层与所述扩散阻挡层侧壁附着的表面积，使蚀刻停止层更牢靠，降低测试中刻蚀停止层剥离的风险。
声明：
“集成电路结构及其形成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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