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降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法

724   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:51
本发明公开一种降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法,该包括在工艺腔室的内壁形成介质层的步骤,其中形成介质层的步骤包括:向工艺腔室中通入第一气体和第二气体,并使第一气体和第二气体电离形成等离子体并发生化学反应,以在工艺腔室的内壁上沉积形成不含金属元素的介质层。本发明在工艺腔室的内壁形成介质层,从而起到保护晶圆的作用,使其不会被金属所污染,从而保证了金属污染测试的通过率,进而节省大量的机台闲置时间,提高机台产能,增加了晶圆上芯片元器件的可靠性,提升器件良率。
声明:
“降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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