本发明公开一种降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法,该包括在工艺腔室的内壁形成介质层的步骤,其中形成介质层的步骤包括:向工艺腔室中通入第一气体和第二气体,并使第一气体和第二气体电离形成等离子体并发生化学反应,以在工艺腔室的内壁上沉积形成不含金属元素的介质层。本发明在工艺腔室的内壁形成介质层,从而起到保护晶圆的作用,使其不会被金属所污染,从而保证了金属污染测试的通过率,进而节省大量的机台闲置时间,提高机台产能,增加了晶圆上
芯片元器件的可靠性,提升器件良率。
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