本公开提供了一种窄带隙二维半导体化合物EuTe4、其制备方法及其应用,兼具二维材料和窄带隙
半导体材料的优点,可应用于光电探测器、热电材料、二维超晶格器件和相变电子学器件。窄带隙二维半导体化合物EuTe4,化学式为EuTe4,晶体结构属于正交晶系,空间群为Pmmn,晶胞参数为:
α=90°;
β=90°;
γ=90°。EuTe4为窄禁带半导体,光学带隙约为0.3eV,电阻随着温度降低而增大,具有典型的一阶相变特征;本公开中的具有二维材料和窄带隙半导体材料的优点,具有重要的应用和基础研究价值。
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