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生化传感器芯片及制备工艺方法

942   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:51
本发明公开一种差分结构生化传感器芯片,第一延长栅和第二延长栅具有两种敏感性质的聚吡咯层,第一延长栅、准参比电极及第二延长栅分别与各压焊块相连。本发明公开的方法用电化学法聚合得到第一延长栅上生长PH敏感的第一聚吡咯层、第二延长栅上生长PH钝化的第二聚吡咯层;准参比电极的第三铝层由标准CMOS工艺在加工芯片时沉积,第三铂层采用磁控溅射法沉积生长在第三铝层上。采用多晶硅栅标准工艺流片实现差分结构离子敏场效应晶体管芯片。在后续工艺中制备PH敏感层与PH钝化层的方法,解决目前因采用不同材料作为PH敏感层与PH钝化层而引起差分测量误差的问题,获得较好的差分效果和良好的稳定性,并能适应较宽的环境变量范围。
声明:
“生化传感器芯片及制备工艺方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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