本发明涉及一种非倒装键合体式硫系铅焦平面阵列器及其制备方法与应用,属于光电传感器制备工艺技术领域。本发明设计的制备方法解决了倒装键合工艺复杂,成品率低,成本高的问题,采用硫系铅薄膜具备的大面积均匀性和易与硅衬底集成的特性,直接在硅衬底上沉积生长制备焦平面阵列,同时在化学水浴沉积过程中,采用竖直布置衬底的方式,可一次性生成多个基片,有利于保证产品质量稳定性。故本发明设计的阵列器件质量稳定,探测率、响应率也表现良好。
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“非倒装键合体式硫系铅焦平面阵列器及其制备方法与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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