本发明公开了一种高度取向的ZnO纳米锥阵列的湿化学生长方法,采用旋涂镀膜法将ZnO溶胶涂敷在基底上,经热处理制备一层均匀的纳米级ZnO晶种层;用KOH和Zn(NO3)2配制ZnO阵列生长液;将基底生长面(即含有晶种层的面)悬空倒扣浸没于上述生长液中,在20~50℃水浴条件下,反应1~12h,在所述的基底上制备ZnO纳米锥阵列。该方法具有设备及工艺简单、易操作、成本低和适合工业化生产等优点。本发明制备出的ZnO纳米锥阵列具有高度致密、粗细均匀、取向性好、平整度高、性能稳定、与基底结合牢固等特点,在超疏水表面、探测器、压电变频器、紫外激光和
太阳能电池等方面有广阔的应用前景和巨大的市场效益。
声明:
“高度取向ZnO纳米锥阵列结构材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)