本实用新型提供了一种机台腔体监控装置,包括:温度传感器,用以测量腔体内半导体上覆盖的液体层的温度;图形传感器,用以测量腔体内半导体上覆盖的液体层的形态。据此,采用本实用新型提供的机台腔体的监控装置,能够直接监控清洗或湿法刻蚀化学反应处的实时温度、实时反应物接触情况(液体膜层在半导体上覆盖的情况),从而能够采集到对工艺影响的更直接的技术参数,提升了清洗或湿法刻蚀工艺的工艺精度,扩大了该工艺的适用半导体加工的技术节点范围。
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