本发明公开了碳化硅高深宽比槽刻蚀工艺优化方法,包括以下步骤:S1、采用镀膜设备镀膜,测量非金属掩膜层膜厚H1、折射率N1;S2、采用加密设备加密,测量其膜厚H2、折射率N2;S3、判断加密工艺有效性;S4、判断S1、S2步骤是否结束;S5、采用光刻工艺制作光刻胶掩膜;S6、采用刻蚀工艺刻蚀非金属掩膜、采用化学腐蚀工艺去除残留光刻胶;S7、采用刻蚀工艺刻蚀碳化硅沟槽;S8、观察碳化硅沟槽刻蚀形貌,计算选择比Selectivity,判定刻蚀完整性。本发明用以解决非金属掩膜作碳化硅刻蚀掩膜刻蚀选择比小于3,碳化硅沟槽线宽损失大的问题。
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