合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 化学分析技术

> 碳化硅高深宽比槽刻蚀工艺优化方法

碳化硅高深宽比槽刻蚀工艺优化方法

726   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:36
本发明公开了碳化硅高深宽比槽刻蚀工艺优化方法,包括以下步骤:S1、采用镀膜设备镀膜,测量非金属掩膜层膜厚H1、折射率N1;S2、采用加密设备加密,测量其膜厚H2、折射率N2;S3、判断加密工艺有效性;S4、判断S1、S2步骤是否结束;S5、采用光刻工艺制作光刻胶掩膜;S6、采用刻蚀工艺刻蚀非金属掩膜、采用化学腐蚀工艺去除残留光刻胶;S7、采用刻蚀工艺刻蚀碳化硅沟槽;S8、观察碳化硅沟槽刻蚀形貌,计算选择比Selectivity,判定刻蚀完整性。本发明用以解决非金属掩膜作碳化硅刻蚀掩膜刻蚀选择比小于3,碳化硅沟槽线宽损失大的问题。
声明:
“碳化硅高深宽比槽刻蚀工艺优化方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
化学分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届中国微细粒矿物选矿技术大会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记