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制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀工艺

1100   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:36
本发明公开了一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀工艺。工艺包括探测器芯片的衬底减薄抛光和清洗、芯片保护、衬底氧化层腐蚀、衬底选择性湿法腐蚀四个步骤,本发明的特征在于:将化学机械减薄抛光后的Si基碲镉汞芯片衬底朝上贴于宝石片上并固化,将制好的样品放入氢氟酸中去氧化层,再将其放入高选择比腐蚀液中进行腐蚀。本发明的特点在于:能获得衬底完全去除的碲化镉/碲镉汞外延薄膜材料和光亮的碲化镉界面,为从碲化镉界面入手研究探测器芯片中位错提供了方便。
声明:
“制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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