本发明公开了一种磷化硼一维
纳米材料的制备方法,包括清洗Si衬底,烘干后镀上催化剂备用;将有催化剂的Si衬底置于管式炉石英管中部;将管式炉密封后充满惰性保护气体,然后对其抽真空;抽真空排除O
2之后,在惰性气体保护下加热石英管,待其升温至900~1000℃时,通入硼源前驱体和磷源前驱体;反应30~90min后,停止通入硼源和磷源前驱体,管式炉降温至室温,关闭惰性保护气体,取出Si衬底。本发明采用Si衬底,通过易于操作的化学气相沉积方法实现了磷化硼(BP)纳米线的成功制备;本发明的制备方法易于操作,不需要复杂的工艺条件,工艺简单,制得的磷化硼(BP)纳米线质量好,结晶度高,产率高,预期在中子探测器、光学探测器及微电子领域具有广泛的应用前景。
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