本发明涉及一种表面
光伏性能良好的半导体量子点/
石墨烯范德瓦尔斯结薄膜柔性器件的构筑方法,通过柔性衬底机械剥离化学气相沉积法制备的单层石墨烯的方法,并在石墨烯上修饰半导体量子点,控制器件退火温度和时间,优化半导体量子点与石墨烯之间的范德瓦尔斯接触,成功构筑了表面光伏响应性能理想的半导体量子点/石墨烯范德瓦尔斯结薄膜柔性表面光伏器件,可用于相对位置探测或光电探测。
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“表面光伏性能良好的半导体量子点/石墨烯范德瓦尔斯结薄膜柔性器件的构筑方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)