本发明提供了一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺,包括如下步骤:步骤一:测试硅片表面平整度前值,然后将硅片表面涂抛光蜡,之后将抛光蜡甩匀,对抛光蜡进行烘烤使蜡具有粘性,后将涂有抛光蜡的一面贴在高温的陶瓷盘上,待贴满硅片的陶瓷盘冷却;步骤二:对于冷却的陶瓷盘进行粗抛光、中抛光及精抛光,得到光亮平整的硅片;步骤三:将步骤二得到的硅片铲下后进行ADE9600测试表面平整度。本发明所述的通过改善抛光过程中的粗抛光的工艺参数来平衡机械作用及化学作用,改善抛光片表面平整度,相对于现有工艺,可以降低抛光产品的TTV、TIR、STIR及TAPER。
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