本发明涉及一种锑化铟单晶片的抛光方法,属于光电材料技术领域。所述方法对锑化铟单晶片抛光过程中精抛溶液的配方进行设计,利用精抛溶液的化学作用,配合精密抛光机中抛光盘的机械作用,通过严格控制转速、压力以及精抛溶液的滴速,进行锑化铟单晶片的超精密平整化加工,实现抛光后的锑化铟单晶片的完美晶格,能够有效避免现有技术中抛光加工所造成的二次缺陷,弥补了锑化铟单晶片精密加工领域的空白。采用本发明所述抛光方法加工的锑化铟单晶片,由于晶格完美,因此利用其制备的红外探测器的成品率有长足的进步,且大大拓宽了锑化铟单晶片在红外探测器上的应用。
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