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四元LED芯片干法蚀刻方法

860   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:36
本发明一种四元LED芯片干法蚀刻方法,属于LED蚀刻技术领域;解决的技术问题是提供了一种四元LED芯片干法蚀刻方法,在偏压功率、电感耦合等离子体和蚀刻时间设定为特定值时调整气体流量,使被蚀刻产品的均匀度降低,提高产品质量;采用的技术方案为:一种四元LED芯片干法蚀刻方法,按照以下步骤进行:将偏压功率、电感耦合等离子体功率和蚀刻时间设定为特定值,气体流量设定为15±1sccm;将带有掩膜的待蚀刻材料放入反应腔内;将蚀刻完成的材料取出,置入化学溶液中去除掩膜;将材料放入测量仪,测试材料多个位置的蚀刻深度;本发明可广泛应用于蚀刻技术领域。
声明:
“四元LED芯片干法蚀刻方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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