一种用于半导体技术领域的硅薄膜异质结太阳 电池的制备方法,衬底清洗:采用半导体清洗工艺进行衬底的 表面初清洗,再将衬底放在去离子水中用超声波清洗,用去离 子水冲洗数次,氮气吹干;制备本征非晶硅层:用热丝化学汽 相沉积技术制备本征非晶硅层,钨丝温度用光学高温计测量, 加热器与样品的温度分别由两个热电偶测定,用电子温度控制 器控制温度,在衬底表面反应生长而成薄膜;在本征非晶硅薄 膜上再沉积一层发射层;正、背面电极的形成:用溅射工艺在 电池的正、背面形成电极;最后进行真空热退火工艺。本发明 薄膜具有光照稳定性,在AM1.5, 100mW/cm2标准光强下,获得的 硅薄膜的光电导增益可达106, 基于此薄膜的非晶硅和晶硅异质结太阳电池的效率达12.5%。
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