本发明公开了高硼组分二维III族多元氮化物混合晶体及其制备方法。该方法为低压化学气相沉积方法,设置级联式递进三温区结构,并于中段梯度温区进行加速混晶分子的气相预替位,实现高效可控二维混晶。本发明制备的高硼组分二维III族多元氮化物混合晶体表面平整性好,用于器件结构中的层间匹配度高,混合晶体中的硼组分高;可作为优良衬底用于制备高质量InAlGaN等多元氮化物半导体,制备性能优良的中子探测器、深紫外LED、深紫外探测器;可广泛应用于紫外固化光源、紫外光通信、紫外空气净化、紫外医疗、紫外水净化、紫外光解油烟等领域。
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