本发明公开了一种用于
多晶硅层的研磨工艺,包含以下步骤:1)测量晶圆厚度;2)对晶圆的多晶硅层进行化学机械研磨以获得研磨面;3)对研磨面进行RCA清洗;4)对研磨面进行抛光研磨;5)对研磨面进行CPC清洗;6)再次测量晶圆的厚度。该研磨工艺能够有效减少多晶硅表面随机分布的凸起缺陷。本发明同时提供一种使用上述研磨工艺制备的晶圆。
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