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用于多晶硅层的研磨工艺及晶圆

801   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:36
本发明公开了一种用于多晶硅层的研磨工艺,包含以下步骤:1)测量晶圆厚度;2)对晶圆的多晶硅层进行化学机械研磨以获得研磨面;3)对研磨面进行RCA清洗;4)对研磨面进行抛光研磨;5)对研磨面进行CPC清洗;6)再次测量晶圆的厚度。该研磨工艺能够有效减少多晶硅表面随机分布的凸起缺陷。本发明同时提供一种使用上述研磨工艺制备的晶圆。
声明:
“用于多晶硅层的研磨工艺及晶圆” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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