本发明公开了一种硼酸钆锂晶体的晶体生长方法,涉及晶体生长领域。该方法为将晶 体生长原料采用提拉法生长,其中,所述硼酸钆锂晶体的化学式为Li6CexGd1-xB3O9,x的取 值范围是0<x≤0.1;采用提拉法生长时,选用下半部分为弧形或者锥形底部的异型坩埚作 为生长坩埚。本发明通过使用异型坩埚及后加热装置,克服了使用普通圆筒型坩埚的提拉 法生长硼酸钆锂晶体易出现凹界面或难以长成大直径的缺点。用该方法生长出的晶体具有 尺寸大、光学质量高等优点,可用于中子探测,还可以用来探测α、β、γ射线等。
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