本发明的目的在于提供一种可控垂直硒化铋纳米片薄膜,所述薄膜由垂直于基体的Bi2Se3纳米片组成,纳米片尺寸为50纳米~50微米。本发明采用化学气相沉积法制备Bi2Se3薄膜,该方法能够可控的制备出高质量的具有明显光电响应的薄膜,测试发现该薄膜具有N型导电特性,可以和P型硅基片形成N型薄膜/P型硅片的双层结构,具有明显的可见光和近红外光电响应能力和较快光电响应时间,尤其在近红外波段具有强的光响应能力,具有良好的电探测应用前景。
声明:
“可控垂直硒化铋纳米片薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)