一种具有择优取向的Ga
2O
3和SnO
2混相膜的制备方法是将Ga
2O
3粉末和SnO
2粉末与碳粉末按比例混合并研磨,获得固体混合粉末,并以此为反应源,将基片和反应源置于高温管式炉中,利用化学气相沉积法,通过热碳还原Ga
2O
3和SnO
2提供Ga源和Sn源,以氧气为氧源,惰性气体为载气,在一定的反应源温度、基片温度、生长压力、沉积时间、载气和氧气比例下,在基片上获得具有择优取向的Ga
2O
3和SnO
2混相膜,本方法实现了Ga
2O
3和SnO
2均具有单一的择优取向,而且工艺简单,设备低廉,在紫外探测、透明导电氧化物、高功率器件、发光二极管、紫外探测、薄膜晶体管、气体传感器和磁性半导体等领域具有潜在的应用。
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“具有择优取向的Ga2O3和SnO2混相膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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