本发明涉及高纯铟制备方法,其包括酸浸,原料铟浸入稀硫酸中,除去表面的氧化物;测定,将原料铟从稀硫酸中取出、洗净并干燥,利用光度计测定原料铟中杂质及含量;杂质包括铜、锡、砷、锌、铊、铅、铁、镉、铝;熔炼除杂,将经除杂处理的原料铟熔炼,脱除杂质锡、铊、镉。本发明首先通过熔炼主要除去难以电解的与铟化学电位接近的杂质锡、铊、镉,降低锡、铊、镉的含量,然后通过二次电解进一步降低铜、锡、砷、锌、铊、铅、铁、镉、铝等的含量,使得高纯铟达到5N以上的纯度,满足使用需求;且本发明操作简单,可避免产生有毒气体,污染环境。
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