本发明公开了一种
多晶硅SOI基板型光电耦合器,包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO
2中间层的第一介质层和顶层多晶硅,顶层多晶硅通过低压力化学气相沉积法淀积在第一衬底上;光电耦合器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层多晶硅中的多晶硅光源。本发明还公开了上述光电耦合器的制作方法,并进一步公开了上述光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的多晶硅光源与硅光探测器轴向排布,面积小、制造成本低,具有较高的光传输效率和集成度;本发明的光电耦合器可以与电路集成在同一个衬底上,多晶硅光源与硅光探测器轴向堆叠,进一步降低了制造成本,具有较高的集成度。本发明适用于光电耦合器的集成技术领域。
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“多晶硅SOI基板型光电耦合器、其集成电路及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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