本发明涉及晶体硅
太阳能电池化学腐蚀和清洗技术领域,尤其涉及一种精确配制和实时监控氧化物刻蚀缓冲液浓度的方法,其在清洗槽内设置有PH测试仪,在配制氧化物刻蚀缓冲液时,可通过PH测试仪反馈的PH值来控制中转槽与清洗槽之间阀门的开闭,能精确控制配比,改善并修正了纯手动配比出现的偏差;另外,在硅片清洗时,可通过PH测试仪实时监控清洗槽中氧化物刻蚀缓冲液的浓度变化,能及时发现异常,预防了由氧化物刻蚀缓冲液浓度偏移导致的硅片表面氧化层清洗不尽,有效提升和稳定了电池性能。
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我是此专利(论文)的发明人(作者)