本申请提供了一种
芯片的加工方法,涉及半导体器件处理技术领域。本申请实施例提供的芯片加工方法,通过对印制电路板上的芯片进行调平、初次减薄和二次减薄等步骤后,可以将芯片的厚度减薄至满足地面单粒子效应测试的厚度,通过这样的物理减薄,避免先减薄后焊接的操作流程中,重新焊接芯片带来的芯片变形等情况,同时避免了化学减薄过程中很容易出现的过腐蚀或腐蚀不足的情况。即使使用能量交底的低能重离子,也可以对本申请中减薄后的芯片进行单粒子效应测试,降低了单粒子效应测试中对重离子加速器的能量要求。
声明:
“芯片的加工方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)