本发明公开一种磷掺杂β‑Ga
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3微米线的制备方法,将纯度大于99.9%的氧化镓粉末、碳粉和P
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5粉末按质量比6:9:1~2配比混合制成反应源材料,将反应源材料放入刚玉舟内,再将刚玉舟放入化学气相沉积系统石英管的中心处,衬底位于反应源材料上方1~2cm处;通入氩气,氩气流量控制在300ml/min;当加热温度达到1100℃时通入氧气,氧气流量控制在300ml/min,生长时间为20~40分钟;关闭氧气,保持氩气流量,降温至室温,取出样品。从微米线样品底部剥离出单根的微米线,在其两端滴定银胶电极,即可制备单根磷掺杂β‑Ga
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3微米线紫外探测器,比未掺杂β‑Ga
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3微米线探测器具有更好的紫外探测性能。
声明:
“磷掺杂β-Ga2O3微米线的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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