本发明公开了一种具有双稳态结构的肖特基二极管设计方法,步骤包括:从铜体相中得到纯净的Cu(111)表面;利用DFT计算方法对其结构进行优化得到其晶格常数,并与实验值比较;构建出anthradithiophene(ADT)分子,并对其进行结构优化;再将优化好的ADT分子放在优化好的Cu(111)面的多种不同位置上,分别对其结构进行优化;检查优化好的结果,并且找出能够稳定存在的结构;单独计算吸附前优化好的ADT分子的禁带宽以及界面偶极得到其肖特基高度。本发明通过新颖而又精确的DFT计算方法,结合实验数据,使得设计出的肖特基二极管稳定性高,肖特基能垒低,且兼具物理和化学吸附的双重优点。
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