本发明公开了碳化硅晶片抛光温控的方法和装置,碳化硅晶片抛光温控的方法包括:步骤S01,在抛光机抛头上设计孔径;步骤S02,将温度感测器放于所述的孔径内,连接抛光机台的电控程式,进行联结监控;步骤S03,对碳化硅晶片进行抛光处理。温控的装置包括主轴、抛头、温度感测器和O‑ring。本发明在抛光机的抛头上设计多孔径,使温度感测器可以直接安装在抛头上,透过与机台PLC连接,让在抛光过程中可以实时监控盘面温度,并可依照不同需要侦测的点做更改,达到抛光温度稳定,抛光过程的化学作用稳定,减少浆料洁净造成晶片表面刮伤,最终达到晶片无刮伤的表面需求。
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