本发明涉及晶体硅表面镀膜领域,具体是一种新型PECVD的镀膜工艺,工艺步骤为:进炉升温稳定温度;氨气吹扫;抽真空检漏;预沉积;通化学反应气体开射频电离;抽真空;充气;退火;出炉。采用本发明的镀膜工艺镀膜的硅片制备的
电池片因为修复了硅片表面的轰击损伤,降低了硅片表面的悬挂键数量,减少了复合中心,降低了电子的复合速率,增加了用于输出电流的电子空穴对,提高了电池片的短路电流,提高了电池片的效率,极大地增加了在本行业的竞争力。
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