本发明公开了N‑Si基板的抛光工艺,包括如下步骤:A、粗抛光;B、精抛光;C、化学机械抛光;D、对N‑Si基板进行进行切割;E、将基板放置于装有丙酮溶液的烧杯中;F、将基板放置于装有甲醇溶液的烧杯中;G、将N‑Si基板放置于装有去离子水的烧杯中;H、检查基板表面是否有残留物;I、使用氮气将基板表面吹干,放置烤箱中烘烤10分钟,即完成抛光工艺。本发明中,采用PH为9.5,浓度为15%,粒径为30nm的硅溶液,以H
2O
2和硅溶液比为1:10的比例范围加入H
2O
2,进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光,控制抛光机的压力为2g/cm
2,抛光盘转速为60rpm,抛光时间在1.2小时,实现对于基板的进一步精准抛光,增加抛光的平滑度。
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