本公开涉及再生PECVD设备或DRY ETCH设备腔体中的构件的方法,该方法包括以下连续步骤:(a)对所述构件的表面进行喷砂处理;(b)用浓度为40‑100g/L的无机酸溶液清洗所述构件的表面;(c)检查所述构件的表面;(d)对所述构件的表面进行激光定点清洗;(e)对所述构件的表面进行超声波清洗;(f)对所述构件的表面进行研磨处理;(g)对所述构件的表面进行喷砂处理;(h)使用干冰对所述构件的表面进行清洗;(i)用酸性或碱性溶液对所述构件的表面进行化学刻蚀;(j)对所述构件的表面进行超声波清洗;(k)对所述构件的表面进行高压清洗;以及(l)干燥所述构件的表面。
声明:
“再生PECVD设备或DRY ETCH设备腔体中的构件的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)