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可控硅的生产工艺

875   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:23:06
本发明公开了一种可控硅的生产工艺,包括双面抛光片步骤、氧化步骤、光刻穿通步骤、进行穿通扩散步骤、光刻阴极步骤、阴极扩散步骤、光刻台面槽步骤、化学腐蚀台面槽步骤、光刻阴极门极槽步骤、化学腐蚀阴极门极槽步骤、玻璃钝化步骤、光刻引线孔步骤、正面蒸铝步骤、铝反刻步骤、铝合金步骤、背面喷砂步骤、背面金属化步骤、芯片测试步骤、划片步骤和芯片包装步骤,其特征在于:所述进行穿通扩散步骤和光刻阴极步骤之间增加了短基区扩散步骤,所述短基区扩散步骤包括镓预淀积步骤和镓再分布步骤。优点是:提高了可控硅的可靠性和适用性。
声明:
“可控硅的生产工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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