本发明提供了一种单一取向ZnGa
2O
4薄膜的制备方法,包括以下步骤:以有机锌化合物作为锌源,有机镓化合物作为镓源,以高纯氧气为氧源,利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底表面沉积ZnGa
2O
4薄膜。本发明提供的单一(111)取向ZnGa
2O
4薄膜的制备方法,其利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,以有机锌化合物作为锌源,有机镓化合物作为镓源,以高纯氧气为氧源,通过生长温度、锌源、镓源和氧气流量的精确控制,实现了高质量单一(111)取向尖晶石结构ZnGa
2O
4薄膜的生长,为实现高性能日盲紫外光探测器提供了便捷有效的手段。
声明:
“单一取向锌镓氧薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)