本发明公开了一种WO3‑x‑WS2一维‑二维异质结、制备方法及应用,制备方法包括以下步骤:步骤1:将偏钨酸铵和硫粉放置在化学气相沉积反应腔体的加热区;偏钨酸铵和硫粉之间设置有炉塞;步骤2:将反应腔体填充保护气氛;步骤3:在保护气氛条件下,以10~30℃/min的速率升温至400~700℃,然后以10℃/min的速率升温至1100~1500℃,保温20~40min,随炉冷却至室温,设置在偏钨酸铵一侧的基底上得到所需异质结构;本发明通过制备工艺简单的一步化学气相沉积生长方法构建了WO3‑x‑WS2一维‑二维异质结构,在单层WS2二维纳米片上生长了高度约为7.1nm的WO3‑x一维纳米线;该异质结具有优异的光电探测性能。
声明:
“WO3-x-WS2一维-二维异质结、制备方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)