本发明公开了一种NiCo
2O
4@Ni‑Co‑S纳米片阵列核壳结构材料的制备方法,用于解决现有方法制备的NiCo
2O
4基
复合材料性能差的技术问题。技术方案是将在集流体泡沫镍上长有NiCo
2O
4纳米片阵列的基底置于Ni(NO
3)
2·6H
2O、Co(NO
3)
2·6H
2O和硫脲混合溶液中,在三电极体系下进行
电化学沉积反应,在泡沫镍上生成核壳结构NiCo
2O
4@Ni‑Co‑S纳米片阵列。经电化学性能测试,本发明制备的复合电极材料在电流密度为1A g
‑1时质量比电容高达2610.6F g
‑1,在20A g
‑1时倍率为89.0%,在25mV s
‑1扫描速率下,5000次循环的比电容保持率为88.21%。
声明:
“NiCo2O4@Ni-Co-S纳米片阵列核壳结构材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)