本发明公开了一种NiCo2O4@Ni‑Co‑S纳米片阵列核壳结构材料的制备方法,用于解决现有方法制备的NiCo2O4基复合材料性能差的技术问题。技术方案是将在集流体泡沫镍上长有NiCo2O4纳米片阵列的基底置于Ni(NO3)2·6H2O、Co(NO3)2·6H2O和硫脲混合溶液中,在三电极体系下进行电化学沉积反应,在泡沫镍上生成核壳结构NiCo2O4@Ni‑Co‑S纳米片阵列。经电化学性能测试,本发明制备的复合电极材料在电流密度为1A g‑1时质量比电容高达2610.6F g‑1,在20A g‑1时倍率为89.0%,在25mV s‑1扫描速率下,5000次循环的比电容保持率为88.21%。
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