本发明提供了一种硅基光子材料器件制备方法,具体包括以下步骤:a)通过特殊方式加工制作出具有高密度和小尺寸的有序硅纳米晶粒;b)通过光刻工艺的方式对晶粒进行加工;c)采用UHV/CVD在硅衬底上生长Ge量子点;d)对加工过后的晶粒掺杂化学混合元素;e)利用步骤d)制备得到的晶粒形成光开关阵列构成光波导开关;f)化学研磨与物理成型;g)对加工出的硅基光子电路板进行晶粒探针测试。本发明的制备方法可获得热导性好、电学性能好的硅基光子材料器件,且制备方法简单、成本低廉、工艺可靠。
声明:
“硅基光子材料器件制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)