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Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料

763   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:23:04
本发明涉及一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料,属于光学防伪材料技术领域。本发明光学防伪材料的化学通式为Bi3‑xEuxO4M;其中x=0.001~0.3,M为元素F、Cl、Br的一种或多种。本发明提供的稀土Eu离子掺杂的卤氧化铋半导材料中的Eu3+发光特征对激发光波长、强度、温度具有超敏感的响应特性,且物理化学性质稳定,制备方法简单、原材料成本低;该材料有望作为高敏感光学防伪材料、紫外探测器,温度传感器器,光伏铁电材料,光机械材料传感材料到应用。
声明:
“Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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