本发明涉及一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料,属于光学防伪材料技术领域。本发明光学防伪材料的化学通式为Bi
3‑xEu
xO
4M;其中x=0.001~0.3,M为元素F、Cl、Br的一种或多种。本发明提供的
稀土Eu离子掺杂的卤氧化铋半导材料中的Eu
3+发光特征对激发光波长、强度、温度具有超敏感的响应特性,且物理化学性质稳定,制备方法简单、原材料成本低;该材料有望作为高敏感光学防伪材料、紫外探测器,温度传感器器,
光伏铁电材料,光机械材料传感材料到应用。
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