本发明公开了一种集成热处理工艺的多腔室氮化物材料外延系统,属于半导体技术领域。本发明能够有效解决在氮化物材料生长时,利用异位热处理系统进行退火工艺处理后,二次外延材料外延生长与高温热处理过程中产生的样品污染而导致材料质量下降的问题。该系统包括金属有机物化学气相沉积设备、物理气相沉积设备、高温热处理设备、互联系统、源存储系统、输运系统、尾气处理系统和监测与控制系统。本发明将热退火工艺与金属有机化学气相沉积工艺集成在一起,为高温热处理工艺广泛应用于氮化物材料生长,获得高质量氮化物提供了一种有效方法。
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