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顶层金属互连层的制造方法

905   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:23:04
本发明提供一种顶层金属互连层的制造方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成器件结构,并在所述器件结构上形成若干层底层金属互连层;利用电镀工艺,在所述若干层底层金属互连层上形成顶层金属互连层,所述顶层金属互连层的晶粒尺寸小于1μm;接着,直接对所述顶层金属互连层进行化学机械研磨工艺;在所述顶层金属互连层上覆盖钝化层。本发明所述顶层金属互连层的制造方法,能够避免顶层金属互连层晶粒尺寸增加,使晶体尺寸控制在小于1μm的范围之内,从而在保持半导体器件的晶圆导通测试合格率同时,保证在化学机械研磨工艺过程中,提高顶层金属互连层的机械抗压力,避免半导体器件发生断裂、坍塌等问题,进一步提高产品良率。
声明:
“顶层金属互连层的制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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