本发明涉及一种Cr
2O
3晶体的制备方法,包括如下步骤:以铬前体材料为反应源,以卤素为辅助材料,将衬底置于生长区;以及在常压和保护气体氛围下,以氢气和所述保护气体的混合气体作为工作气体,加热衬底和所述反应源,在所述衬底上化学气相沉积形成Cr
2O
3晶体。经过测试验证,上述Cr
2O
3晶体的制备方法通过卤素(碘)辅助控制化学气相沉积方法,制得的Cr
2O
3晶体的横向尺寸达到微米级(3μm~5μm)。
声明:
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