本发明公开了一种高迁移率氮掺杂大单晶
石墨烯薄膜及其制备方法。氮掺杂大单晶石墨烯薄膜中氮原子以石墨型氮掺杂于石墨烯晶格中;氮原子的掺杂形式为簇状掺杂;至少3个氮原子与碳原子形成簇状结构镶嵌于石墨烯薄膜中。氮掺杂大单晶石墨烯薄膜的制备方法包括如下步骤:采用还原性气体和含氮碳源气体作为生长气氛,利用化学气相沉积法在生长基底上生长单晶石墨烯岛;在氧化性气氛中对单晶石墨烯岛进行钝化处理;钝化处理结束后,利用化学气相沉积法进行石墨烯再生长即得。本发明氮掺杂大单晶石墨烯薄膜可用于透明导电薄膜、透明电极、高频电子器件、发光器件、
光伏器件、光电探测器件、电光调制器件、散热器件或疏水性器件封装中。
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