本发明公开了一种采用石蜡外边框掩膜法制备太阳电池的方法,包括下述步骤:(1)制绒硅片形成光陷阱表面;(2)在绒面上扩散掺杂形成PN结;(3)在扩散面上打印上起掩蔽作用的石蜡掩膜;(4)在覆盖掩膜的片子上覆盖水膜;(5)利用化学液去除硅片周边和背面多余的PN结;(6)利用化学液对硅片表面进行刻蚀;(7)去除石蜡掩膜;(8)磷硅玻璃的去除;(9)镀氮化硅膜;(10)印刷背面电极和背场;(11)在石蜡掩膜对应位置处印刷银电极;(12)烧结,测试电性能。本发明采用上述方法制备太阳电池时,能有效避免水膜覆盖不良而影响硅片质量的问题,同时还能确保银电极的印刷位置精确对准,从而提升
电池片的转换效率。
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